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Ion implantation / International Conference on Ion Implantation in Semiconductors

London [u.a.] : Gordon and Breach 1971

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ZDB-ID

629201-X  

Titel

Ion implantation / International Conference on Ion Implantation in Semiconductors

Körperschaft

International Conference on Ion Implantation in Semiconductors <Thousand Oaks, Calif.> 

Erschienen

London [u.a.] : Gordon and Breach

Erscheinungsverlauf

1.1970(1971)

Frühere/spätere Titel

Forts.:  Ion implantation in semiconductors 

Weitere Titelhinweise

1=6,1/2 von:  Radiation effects  (ISSN: 0033-7579) 

Standardnummern

OCLC-Nr.: 183226832

Sacherschließung

DDC-Sachgruppen der ZDB: 530 Physik 

Erscheinungsform

Zeitschrift

Veröffentlichungsform

Kongressbericht

Sprache

Englisch 

Erscheinungsland

Vereinigtes Königreich, Großbritannien 

Medientyp

Druckausgabe

IDN

013642448

Letzte Änderung

03-09-22

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Zsn 27200-6,1/2
Standort
Außenmagazin
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1.1970(1971)
Fernleihe
ja, Kopie und Ausleihe
Berlin UBTU
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4Zp210
Standort
Zeitschriften-Freihandmagazin
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1.1970(1971)
Fernleihe
ja, nur Papierkopie
Clausthal-Z. UB
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Bestand
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Za 2644
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ja, nur Papierkopie
Göttingen SUB
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Signatur
vorh. bei: ZB 30462
Bestand
[Enth. in: Radiation effects. - Bestand s. GVK (Link anklicken)]
Fernleihe
ja, Kopie und Ausleihe
URL
https://gvk.k10plus.de/CLK?IKT=1052&TRM=... 
Hamburg Physikal. Institute
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Bestand
Standort
18/47
Bestand
1.1970(1971)
[Einzelsig]
Fernleihe
nein
Marburg UB
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Bestand
Signatur
4 N 71/1179
Bestand
1.1970(1971)
Fernleihe
ja, Kopie und Ausleihe